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生产设备
  • 产品名称: SOI规格
  • 上架时间: 2018-08-18
  • 浏览次数: 52

产品介绍
 

沈阳硅基科技有限公司SOI规格

一般产品特点

 

 

 

 

 

 

 

 

 

常规

硅片直径

100mm;150mm;200mm

边缘排除

3mm

 

参数

规格

器件层

 

热微波

热微波+外延

键合+研磨

厚度

100nm-300nm

300nm-10um

5um-100um

厚度均匀性

±5%

±5%

±0.5um

电阻率

1-22

晶向

(100)

掺杂类型

P-type,Boron

粗糙度(rms,5μm×5μm)

0.2nm

氢氟酸检测密度

<0.5/m2

表面颗粒(>0.3μm)

<0.1/cm2

金属沾污(ICP-MS)

5E10/cm2

埋层氧化层

厚度

0.15-3μm

厚度均匀性

<±3%

小坑密度

<0.1/cm2

电介质击穿电压

>9MV/cm

基底层

类型

P/N

掺杂类型

P-type,Boron

电阻率么

1-22

生长方法

CZ

晶向

(100)


产品应用
  SOI广泛应用于军事和航天航空、携带性低耗能信息、计算机应用、无线通讯、微处理器、微机电、光通讯组件功能性等产品,SOI材料是当代半导体硅衬底材料的更新换代产品。


 

 

 

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